采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：70W
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：540pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.1A€1.4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
栅极电荷：19nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
输入电容：510pF@50V
功率：2W€3.2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：6500}
规格型号(MPN)：FDD86102
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W€62W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024NTRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
栅极电荷：19nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：70W
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：540pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF-BE3
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W€62W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
栅极电荷：19nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
输入电容：510pF@50V
功率：2W€3.2W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF-BE3
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
栅极电荷：19nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
输入电容：510pF@50V
功率：2W€3.2W
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF-BE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W€62W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：70W
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：540pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：P-Channel
导通电阻：750mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
