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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15120，"13+"：70560，"14+"：5040，"16+"：5040，"9999"：1764，"MI+"：20160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15120，"13+"：70560，"14+"：5040，"16+"：5040，"9999"：1764，"MI+"：20160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
