采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
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输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
