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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66612
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：46A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66612
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€208W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：46A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB110P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5810pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66612
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：46A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66612
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：46A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66612
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：46A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
