采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH3N200P3HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1.5A，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N25TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@1.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT3N200P3HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1.5A，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP3N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：623}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2258}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N25TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@1.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA3N150HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：7.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4565}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50UTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA3N150HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：7.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA3N150HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：7.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1056，"21+"：339}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N25TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@1.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
