采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
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功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
