品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2028pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
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类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
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连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
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输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2028pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2028pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:28W
输入电容:2028pF@100V
导通电阻:520mΩ@6A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB28N30TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
导通电阻:100mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1851pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOWF12T60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2028pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: