采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N40D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N40D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF13N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF13N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1707pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"21+"：9360，"22+"：1030，"MI+"：1800}
规格型号(MPN)：FQA13N80-F109
连续漏极电流：12.6A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
栅极电荷：88nC@10V
功率：300W
漏源电压：800V
导通电阻：750mΩ@6.3A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：3500pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
