品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
功率:50W
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:540pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60ND
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:70W
输入电容:577pF@50V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:600mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:36A
功率:202W
漏源电压:600V
输入电容:2647pF@100V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:49mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4013pF@100V
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:49mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4013pF@100V
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:375pF@100V
漏源电压:600V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB20N60TM
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
功率:150W
栅极电荷:43nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1870pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:5V@250µA
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:600V
功率:96W
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB20N60TM
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
功率:278W
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: