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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
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功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
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功率：208W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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功率：35W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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功率：35W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
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功率：35W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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