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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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