销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：65nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3420pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.1mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：38W€83W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：38W€83W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：65nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3420pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.1mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€40W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2425pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：38W€83W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：65.7W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4450pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.2mΩ@15A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：65.7W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4450pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.2mΩ@15A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：65.7W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4450pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.2mΩ@15A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€40W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2425pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：65.7W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4450pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.2mΩ@15A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：46W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个P沟道（双）

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：38W€83W

阈值电压：2.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1