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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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