品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SL3007-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SL3007-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":21450,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:22A€30A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1235pF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SL3007-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3257,"11+":1553,"13+":2258,"16+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3257,"11+":1553,"13+":2258,"16+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: