品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
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功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
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栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
漏源电压:50V
输入电容:48pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:1.5nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
ECCN:EAR99
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:46pF@25V
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138K-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.95nC@10V
漏源电压:50V
类型:N沟道
功率:380mW
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:310mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:46pF@25V
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
功率:600mW€920mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: