品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:300mW
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
漏源电压:50V
输入电容:48pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:1.5nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
ECCN:EAR99
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:940mW
导通电阻:17mΩ@9A,10V
连续漏极电流:7.44A
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:798pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:950mW
输入电容:277pF@10V
栅极电荷:2.8nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:46pF@25V
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:0.31A
类型:N-Channel
导通电阻:2Ω@10mA,4V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138K-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.95nC@10V
漏源电压:50V
类型:N沟道
功率:380mW
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:310mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.5Ω
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:46pF@25V
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
栅极电荷:5.5nC@4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:464.3pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:300mW
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
功率:600mW€920mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
漏源电压:50V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: