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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 1.5V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    功率:300mW

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.5Ω

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:280mA

    漏源电压:50V

    输入电容:48pF@25V

    类型:N沟道

    栅极电荷:1.5nC@10V

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.5Ω

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:50V

    ECCN:EAR99

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LFG-7

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:7.44A

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:798pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订64个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订64个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.5Ω

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.5Ω

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:950mW

    输入电容:277pF@10V

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    输入电容:46pF@25V

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:0.31A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.9A

    栅极电荷:4.8nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138K-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.95nC@10V

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    功率:380mW

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:310mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:465pF@15V

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.5Ω

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:465pF@15V

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订210000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订210000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20-7

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    漏源电压:50V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.9A

    栅极电荷:4.8nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0L-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    输入电容:46pF@25V

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3418L-7

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:464.3pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订63个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订63个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    功率:300mW

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20-7

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    漏源电压:50V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    功率:600mW€920mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    漏源电压:50V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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