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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:43.7A€162A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5125pF@10V

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    栅极电荷:133nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N-Channel

    导通电阻:132mΩ

    连续漏极电流:1.5A

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:15A

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1265pF@15V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:8130pF@10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A€3.6A

    类型:N沟道

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:320pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订21000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订21000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A€3.6A

    类型:N沟道

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:320pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5125pF@10V

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    栅极电荷:133nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1078X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1078X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1078X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:142mΩ@1A,10V

    功率:240mW

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@15V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:1.02A

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR178DP-T1-RE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR178DP-T1-RE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR178DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A€430A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:0.4mΩ@30A,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:12430pF@10V

    功率:6.3W€104W

    栅极电荷:310nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    导通电阻:132mΩ

    连续漏极电流:1.5A

    功率:400mW€500mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    类型:N-Channel

    包装清单:商品主体 * 1

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