品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
连续漏极电流:1.5A
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:15A
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1265pF@15V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:8130pF@10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:320pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:320pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.2A€4.3A
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1078X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:142mΩ@1A,10V
功率:240mW
类型:N沟道
输入电容:110pF@15V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:1.02A
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR178DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A€430A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.4mΩ@30A,10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:12430pF@10V
功率:6.3W€104W
栅极电荷:310nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
导通电阻:132mΩ
连续漏极电流:1.5A
功率:400mW€500mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
类型:N-Channel
包装清单:商品主体 * 1
库存: