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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€7.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:410mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@20V

    连续漏极电流:860mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4800 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4800 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6401N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:410mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@20V

    连续漏极电流:860mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6800 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6800 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD175XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:225mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订9961个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订9961个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1930,"23+":57960}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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