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    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2T 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2T 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@40V

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@40V

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60CL 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60CL 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF380A60CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF15S60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF15S60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF15S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:717pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9ND50CI 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9ND50CI 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9ND50CI

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1116pF@50V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9ND50CI 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9ND50CI 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9ND50CI

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1116pF@50V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOW15S60 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOW15S60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:717pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB42S60L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB42S60L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB380A60CL 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB380A60CL 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB380A60CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:131W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@40V

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD380A60C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD380A60C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD380A60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB42S60L 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB42S60L 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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