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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1847}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：666789}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：666789}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：56182}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
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输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：13.7nC@10V
导通电阻：10mΩ@8A，10V
阈值电压：2V@40µA
功率：3W€43W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：13.7nC@10V
导通电阻：10mΩ@8A，10V
阈值电压：2V@40µA
功率：3W€43W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
