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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:41.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@30V

    连续漏极电流:454A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@150A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:41.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS66966 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS66966 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66966

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€215W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5325pF@50V

    连续漏极电流:31.3A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:23A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:23A€79.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@30V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:41.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:23A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:41.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:23A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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