品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22205LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:7.4A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UDJ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22205LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:7.4A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25202W15T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22205L
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:7.4A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: