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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
