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    栅极电荷: 20nC@4.5V
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4851NT1G 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4851NT1G 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:870mW€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@12V

    连续漏极电流:9.5A€66A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1312pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订22个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订22个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1312pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1312pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订15000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订15000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC602P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:1456pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC602P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:1456pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":677}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:14A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC602P 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC602P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:1456pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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