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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
输入电容：981pF@100V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
输入电容：860pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：5.5A
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
输入电容：981pF@100V
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：125W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
