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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
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功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1875，"13+"：53000，"9999"：25}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1875，"13+"：53000，"9999"：25}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
