品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€208W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:36A€255A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":368,"22+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€208W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:36A€255A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€208W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:36A€255A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€208W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:36A€255A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€208W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:36A€255A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: