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    栅极电荷: 30nC@10V
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:200+
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    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3EGATMA1 起订1668个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3EGATMA1 起订1668个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":54740,"23+":44940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3EGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3EGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7606TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订1486个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订1486个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2337,"23+":27072,"24+":6430}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680AS 起订883个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680AS 起订883个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":937,"23+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6680AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@15V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7606TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@15V

    连续漏极电流:16A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7606TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C55NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C55NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C55NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS36306 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS36306 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS36306

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:28A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ180P03NS3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ180P03NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€40W

    阈值电压:3.1V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:9A€39.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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