品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:22A€30A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
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输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:22A€30A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:25A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR66406
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@20V
连续漏极电流:22A€30A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66406
连续漏极电流:25A€60A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1480pF@20V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:6.2W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存: