采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
