品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP19N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@9.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: