采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
