品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
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输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQB12P20TM
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功率:3.13W€120W
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ECCN:EAR99
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQB12P20TM
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包装规格(MPQ):800psc
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工作温度:-55℃~150℃
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
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