采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14R0EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB12P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@5.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB12P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@5.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB12P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@5.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
