采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€38.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：18.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
