采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDFKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：740}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：430}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R110CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
