品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: