采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2410}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：7nC@10V
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栅极电荷：7nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：7nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：7nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
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