采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：863，"11+"：2500，"14+"：49000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO303SPNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.35W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1754pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
