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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK60Z 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK60Z 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R120C7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R120C7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R120C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R120C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB26N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB26N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB26N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:3.3V@36µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB190N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8678S 起订479个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8678S 起订479个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8678S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:15A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ039N06NSATMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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