采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK64N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R029CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4.5V@1.79mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7149pF@400V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@35.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK64N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX64N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX64N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R029CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4.5V@1.79mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7149pF@400V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@35.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT37F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5710pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@18A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA65R029CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4.5V@1.79mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7149pF@400V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@35.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"21+"：9100，"22+"：12050}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA24N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：23.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT14M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R029CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4.5V@1.79mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7149pF@400V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@35.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
