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    栅极电荷: 12nC@4.5V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订27个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订27个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7914TRPBF 起订1356个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7914TRPBF 起订1356个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5729}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7914TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.35V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:15A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8721TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8588 起订931个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8588 起订931个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":69000,"21+":13590,"22+":3147312,"MC+":3000,"MI+":213000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8588

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€26W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@13V

    连续漏极电流:16.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4404B 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4404B 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4404B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8714TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8714TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8714TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订28个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订28个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8721TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4404B 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4404B 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4404B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订450个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订450个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:17A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:17A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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