采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13UPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@6V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13UPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@6V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：64900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13UPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@6V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13UPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@6V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：64900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
