包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":761402}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2305
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@50V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2302CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2302CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2305
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":500}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: