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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN100N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
