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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：526735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：36975，"07+"：5，"08+"：2175，"09+"：19500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：526735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：526735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2303pF@6V
连续漏极电流：12.7A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
