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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30240，"06+"：20160，"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSU1N50BTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@650mA，10V
漏源电压：520V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC2612
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功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC2612
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功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30240，"06+"：20160，"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSU1N50BTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@650mA，10V
漏源电压：520V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC2612
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功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
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输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@650mA，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
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连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
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漏源电压：520V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
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功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
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品牌：FAIRCHILD
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规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：30240，"06+"：20160，"MI+"：5040}
规格型号(MPN)：SSU1N50BTU
导通电阻：5.3Ω@650mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：340pF@25V
漏源电压：520V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.5W€26W
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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