品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM043NB04CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4928pF@20V
连续漏极电流:16A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":123,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12614,"23+":24142}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":415}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N60-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":260,"23+":2588}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":415}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N60-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":430}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK20N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: