采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
漏源电压：500V
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
功率：89W
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
