采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：294}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD10N60DM2
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功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：294}
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：IPP65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
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功率：278W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：278W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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